Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Preparation of Thin Layers of Ferromagnetic Semiconductors
Koštejn, Martin
The paper reports on the experiments of preparation Mn diluted in Silicon. These materials are potential ferromagnetic semiconductors. Thin layer have been prepared by reactive pulsed laser deposition of Mn target under small pressure of volatile precursor (silane or germane). We estimate initial temperature 1 mn above surface as 1.9 eV. The prepared layers can contain 1-40% of Mn atoms in form of amorphous mixture of Mn and Si or nano-crystallized mixture of Mn and Ge. High temperature annealing or rapid laser annealing is needed for recrystallization of Mn:Si layers.
Plný tet: SKMBT_C22015011914541 - Stáhnout plný textPDF
Plný text: content.csg - Stáhnout plný textPDF
Příprava tenkých vrstev feromagnetických polovodičů
Koštejn, Martin
Příspěvek komentuje experimentální přípravu Mn dopovaného křemíku. Si:Mn může být potenciální materiál s feromagnetickými vlastnostmi za pokojové teploty. Si:Mn bylo připraveno pulzní laserovou depozicí Mn terče při 20Pa SiH4 pomocí ArF laseru. Byla určena počáteční teplota 1mm nad povrchem na 1,9eV. Přpravené přesycené vrstvy obsahují 11% manganu a jsou tvořeny malými částicemi. Difrakční obrazy neukazují žádnou krystalizaci Mn nebo Si. ale jsou v nich náznaky silicidů. Připravený materiál je amorfní nebo se skládá z krystalitů pod limitou detekce. EPR spektra ukazují nevázané elektrony, které jsou nutné pro feromagnetické vlastnosti. Žíháním na 1100C dochází ke změně krystalizace a začíná probíhat separace Si a Mn.
Plný tet: SKMBT_C22015011914540 - Stáhnout plný textPDF
Plný text: content.csg - Stáhnout plný textPDF

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.